Главните разлики помеѓусупстрат од силициум нитрида супстратот се нивните дефиниции, употреби и карактеристики. ,
Силициум нитрид супстрат:Силикон нитрид супстрате керамички материјал кој главно се користи во производството на енергетски полупроводнички уреди, особено енергетски модули. Има висока топлинска спроводливост, висока механичка сила и добро термичко совпаѓање и е погоден за сценарија за примена кои бараат висока доверливост и отпорност на високи температури. Подлога: Подлогата обично се однесува на основната потпорна структура што се користи за производство на чипови. Вообичаените материјали за подлогата вклучуваат еднокристални силиконски наполитанки, SOI подлоги, SiGe подлоги итн. Изборот на подлогата зависи од специфичните барања за апликација, како што се интегрираните кола, микропроцесорите, меморијата итн. .
Висока топлинска спроводливост: Топлинската спроводливост на силициум нитрид е висока до 80 W/m·K или повеќе, што е погодно за потребите за дисипација на топлина на уредите со висока моќност. Висока механичка цврстина: Има висока цврстина на свиткување и висока цврстина на фрактура, обезбедувајќи ја неговата висока доверливост. Усогласување на коефициентот на термичка експанзија: Многу е сличен на подлогата на кристалот SiC, обезбедувајќи стабилно совпаѓање помеѓу двете и ја зголемува севкупната доверливост.
Подлога
Различни типови : Вклучувајќи единечни кристални силиконски наполитанки, SOI подлоги, SiGe подлоги итн., секој материјал од подлогата има специфично поле за примена и предности во изведбата.
Широк опсег на употреба: Се користи за производство на различни видови чипови и уреди, како што се интегрирани кола, микропроцесори, меморија итн.
Силициум нитрид супстрат: Главно се користи за уреди со висока моќност во полиња како што се возила со нова енергија и модерни транспортни патеки. Поради одличните перформанси на дисипација на топлина, механичката сила и стабилност, тој е погоден за високи барања за доверливост во сложени средини.
Подлога: Широко се користи во различни производство на чипови, а специфичната примена зависи од типот на подлогата. На пример, еднокристалните силиконски наполитанки се широко користени во производството на интегрирани кола и микропроцесори, SOI подлогите се погодни за интегрирани кола со високи перформанси и ниска моќност, а подлогите SiGe се користат за хетероврзувачки биполарни транзистори и мешани сигнални кола, итн.